يدرس علماء من جامعتي بيركلي وبنسلفانيا إمكانية استخدام البلورات الكهروضوئية المستقطبة كهربائيًا كدوائر تبديل بديلة. تغير البلورات استقطابها عند تطبيق مجال كهربائي خارجي
وكما هو معروف، تستفيد معالجات الكمبيوتر من هياكل كبيرة لتبديل العناصر ذات حالتين، "تيار" و"لا تيار" للتعبير عن القيمتين الثنائيتين 1 و0. إن قدرات المعالجات الحالية، المعتمدة على السيليكون، بطيئة ولكن تقترب بشكل مطرد من الحد الأقصى.
لقد تقلصت ترانزستورات السيليكون إلى مقياس النانومتر ووصلت إلى حدود أدائها، مما تسبب في مشاكل في استهلاك الطاقة وتبديد الحرارة والسرعة. ستكون هناك حاجة إلى أجهزة تعمل بطرق مختلفة تمامًا للتغلب على هذه التحديات، كما يقول ناثان ثيس (توماس ن. ثيس)، العالم في مركز أبحاث واتسون التابع لشركة IBM في يوركتاون هايتس، نيويورك، ومدير مبادرة أبحاث الإلكترونيات النانوية في مركز أبحاث أشباه الموصلات. شركة - اتحاد الصناعة.
يدرس علماء من جامعتي بيركلي وبنسلفانيا إمكانية استخدام البلورات الكهروضوئية المستقطبة كهربائيًا كدوائر تبديل بديلة. تغير البلورات استقطابها عند تطبيق مجال كهربائي خارجي. تتمتع هذه البلورات، عند إنتاجها بزاوية معينة، بالعديد من الخصائص التي تمنحها ميزة على الدوائر القائمة على السيليكون: سرعة التبديل الخاصة بها أعلى بمقدار 2 إلى 3 مرات من دوائر السيليكون، واستهلاكها للطاقة أقل، ولديها أيضًا حالتان وسيطتان بين شكلي القطبية، مما يزيد نظريًا من قدرات الحساب (التبديل بأربعة أوضاع بدلاً من الوضعين).
الاتجاه الذي يتم البحث فيه حاليًا هو دمج هذه المواد في دوائر قائمة على السيليكون، بهدف الوصول إلى وضع حيث سيكون من الممكن الحفاظ على قدرات المعالجة والذاكرة غير المتطايرة على نفس المكون، مما سيزيد من موثوقية الكمبيوتر وتقليل فقدان البيانات نتيجة اضطرابات الجهد والأعطال الأخرى.
